上海贝岭取得异质结二极管MOSFET相关专利,内嵌异质结二极管的MOSFET可提性能降成本
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1过压监测电路以及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610668271.72026-05-15CN122592023A2026-08-18刘阳、徐京伟2电容耦合隔离芯片发明专
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1过压监测电路以及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610668271.72026-05-15CN122592023A2026-08-18刘阳、徐京伟2电容耦合隔离芯片发明专