盛美上海等4家公司共同申请膜材料沉积装置相关专利，多站沉积断膜内孔，控刻蚀深度

国家知识产权局信息显示，盛美半导体设备（上海）股份有限公司、盛美半导体设备韩国有限公司、清芯科技有限公司、盛美半导体设备（成都）有限公司申请一项名为“膜材料沉积装置及方法”的专利。申请公布号为CN122791356A，申请号为CN202510345110.X，